美國晶片法案加碼對中國限制 將升高地緣政治風險

　　集邦科技昨日出具報名指出，美國火速通過晶片法案、加碼對中國限制， 將導致地緣政治風險升溫。

　　集邦表示，過去兩年因疫情造成的晶片供應鏈斷鏈，以及中美貿易摩擦、俄烏戰(zhàn)爭等地緣政治升溫，使全球各區(qū)域經濟體提高對區(qū)域生產與供應鏈自主性的關注。

　　集邦調查，以全球各區(qū)域12寸約當產能來看，到2025年，中國臺灣占比約43%，中國大陸占比約27%、美國8%、韓國12%;7納米以下先進制程產能方面;到2025年，中國臺灣占比約69%、韓國18%、美國12%、中國大陸1%。和今年相比，顯見美國未來三年將提升先進制程產能占比，中國大陸則以成熟制程為主軸。

　　但上周美國參眾議院火速通過《美國晶片法案》，該法案全名為“晶片和科學法案”，正式進入最后程序，待拜登總統(tǒng)簽署后即正式生效。

　　集邦指出，該法案草案不僅涵蓋晶圓制造研發(fā)與建廠補助、稅務優(yōu)惠補貼等，同時也提出附加限制條款，擬針對獲美國國家補貼的公司，限制獲補助期間，不得在中國大陸投資28納米以下制程技術，以確保該法案對美國半導體產業(yè)競爭力的保護。

　　集邦表示，目前同時在中美投資擴產、建新廠的半導體公司，僅有臺積電與三星(Samsung)，《美國晶片法案》將如何限制兩家業(yè)者在中國大陸的投資，值得持續(xù)關注。

　　集邦表示，由于美《實體清單》明文禁止用于1X納米及以下先進制程的美國技術銷售予被列入清單的公司，多數中國大陸晶圓代工業(yè)者因而轉向積極擴充28納米及以上成熟制程技術，同時中國大陸也積極培植國產半導體設備，企圖達成全非美系制造產線。

　　不過集邦分析，現階段美系設備商仍掌握部分半導體制程關鍵機臺，尤其在7納米以下先進制程仍必須采用美系設備方能制造，短期內要達成全非美系產線的難度高。(來源：臺灣“中央社”)