半導(dǎo)體技術(shù)再突破 臺(tái)灣研發(fā)側(cè)向磊晶扭轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)獲專利

　　中新網(wǎng)5月11日電 據(jù)臺(tái)灣《聯(lián)合報(bào)》報(bào)道，臺(tái)灣成功大學(xué)(以下簡(jiǎn)稱成大)物理系副教授楊展其與前沿量子科技研究中心特聘教授陳宜君、陳則銘團(tuán)隊(duì)，提出并實(shí)證調(diào)控材料側(cè)向磊晶扭轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)的方法，有助設(shè)計(jì)與調(diào)控量子材料的電子結(jié)構(gòu)與晶體幾何排列，開啟調(diào)控磊晶薄膜制造的嶄新方向，研究成果發(fā)表在國(guó)際期刊《自然·通訊》，其核心技術(shù)也已通過臺(tái)灣專利核可，正美國(guó)專利審核中。

　　成大跨域研究團(tuán)隊(duì)于國(guó)際期刊《自然·通訊》發(fā)表論文，分享側(cè)向扭曲同質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)的研究成果，期刊文章第一與共同第一作者分別為楊展其老師的博士后研究員吳秉駿與博士班學(xué)生魏嘉駿。

　　楊展其表示，近10年來，對(duì)于制作具有優(yōu)異材料特性的高質(zhì)量薄膜，磊晶技術(shù)扮演至關(guān)重要的角色。傳統(tǒng)磊晶概念主要建立在材料的垂直堆疊，多數(shù)研究者皆致力于開發(fā)與調(diào)制垂直磊晶結(jié)構(gòu)的功能性質(zhì)，橫向可扭轉(zhuǎn)同質(zhì)磊晶結(jié)構(gòu)的制造與物性操控，尚未被實(shí)現(xiàn)在量子材料領(lǐng)域。

　　在新穎量子材料開發(fā)、控制側(cè)向同質(zhì)扭轉(zhuǎn)磊晶結(jié)構(gòu)的研究中，楊展其研究團(tuán)隊(duì)實(shí)證相同磊晶系統(tǒng)也可具有接結(jié)的夾角調(diào)控、也可透過制程控制不同晶面的側(cè)向接合，更進(jìn)一步推廣至相同材料不同晶向的界面扭轉(zhuǎn)拼接，誘發(fā)出具有新穎物理特性的界面。

　　團(tuán)隊(duì)表示，透過現(xiàn)代微影技術(shù)的協(xié)助，展示橫向可扭轉(zhuǎn)同質(zhì)結(jié)構(gòu)，用以調(diào)控鐵電、反鐵磁與軌域等多項(xiàng)磊晶組合的可行性，也實(shí)證新開發(fā)的制程，具有納米尺度且精準(zhǔn)的任意圖形化能力，可與現(xiàn)有的半導(dǎo)體制程無縫接軌。以復(fù)雜性氧化物出發(fā)，作為量子材料在固態(tài)物理中的重要分支，其對(duì)于納米電子學(xué)的新興技術(shù)及記憶體開發(fā)運(yùn)用的未來發(fā)展備受各界期待。

　　磊晶薄膜制造技術(shù)可有效調(diào)控電晶體特性及薄膜缺陷與品質(zhì)，借以提升半導(dǎo)體元件效能。其中，橫向磊晶調(diào)控技術(shù)為量子材料開發(fā)與下世代電子元件發(fā)展最大的挑戰(zhàn)之一，楊展其研究團(tuán)隊(duì)借由開發(fā)自懸浮薄膜，提出一個(gè)控制材料側(cè)向磊晶的有效方案，可近乎隨心所欲地拼接薄膜的長(zhǎng)程晶體排列，進(jìn)而操控對(duì)應(yīng)的量子特性與物理性質(zhì)。其研究團(tuán)隊(duì)新穎且具創(chuàng)新貢獻(xiàn)的跨領(lǐng)域研究成果亦曾陸續(xù)登上《自然材料》、《納米快報(bào)、《先進(jìn)材料》等國(guó)際期刊。